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The new device, which enables normally-off operations, is capable of achieving roughly one half the figure of merit ( FOM ) of silicon-based power devices with an equivalent breakdown voltage.

With the addition of the new product to its line-up, Fujitsu Semiconductor will be able to offer GaN devices that contribute to smaller, more efficient power supplies for a wide range of fields, from home appliances and ICT equipment to automotive and industrial applications.

Sample quantities of the new product will be made available starting July 2013, the volume production is scheduled to begin in 2014.

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Der neue selbstsperrende Baustein erreicht etwa den halben Gütefaktor – in Fachkreisen FOM-Wert ( Figure of Merit ) genannt – von Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis mit vergleichbarer Durchschlagspannung.

Mit der Erweiterung der Produktlinie um den neuen Baustein bringt Fujitsu Semiconductor GaN-Leistungsbauelemente auf den Markt, mit denen noch effizientere Stromversorgungseinheiten für eine Vielzahl von Anwendungen hergestellt werden können – von Haushaltsgeräten und Heimelektronik über IKT-Geräte bis hin zu den Marktsegmenten Automotive und Industrie.

Produktmuster der neuen Serie sind ab Juli 2013 verfügbar; ab 2014 gehen die Produkte in die Massenproduktion.

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These modules are shown below in more detail ( the pictures were taken by my friend Joachim Wagner ).

There are five double height modules containing amplifiers, a logarithmic integrator, a modulator and a demodulator as well as two single height modules containing a power supply and a bistable trip circuit ( see below ).

DEMODULATOR LP:

www.analogmuseum.org

Diese Module werden im Folgenden etwas näher gezeigt ( für die Photos sei an dieser Stelle meinem Freund Joachim Wagner ganz herzlich gedankt ).

Unter den sieben Modulen befinden sich fünf mit doppelter Bauhöhe - zwei Verstärker, ein logarithmischer Integrierer, ein Modulator sowie ein Demodulator. Die beiden einfachhohen Module beinhalten eine Stromversorgungseinheit sowie ein bistabiles Schaltglied ( siehe unten ).

DEMODULATOR LP:

www.analogmuseum.org

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New Fujitsu GaN power device with 150V breakdown voltage contribute to smaller, more efficient power supply products for use in telecommunications, industrial equipment, automotive, and other applications.

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Pressebild

Neues GaN-Leistungsbauelement von Fujitsu Semiconductor mit 150 Volt Durchschlagspannung für noch effizientere Stromversorgungseinheiten in den Bereichen Telekommunikation, Industrieautomation, Automotive und anderen Anwendungen.

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We offer either continuous or pulsed neutron generators with high per second output.

A combination of two power supply units is feasible if required for a multi-mode neutron generator set.

Pulsed NG

www.nsd-fusion.com

Wir bieten entweder konstant oder pulsende Neutronengeneratoren mit hoher Ausstrahlung pro Sekunde an.

Eine Kombination von zwei Stromversorgungseinheiten ist denkbar, falls bei einem Multi-Modus Neutronengeneratorset benötigt.

Pulsed NG

www.nsd-fusion.com

Fujitsu to Begin Sample Shipments of GaN Power Device with 150V Breakdown Voltage

Contributes to smaller, more efficient power supply products for use in telecommunications, industrial equipment, automotive, and other applications

Fujitsu to Begin Sample Shipments of GaN Power Device with 150V Breakdown Voltage

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Fujitsu liefert erste Produktmuster des GaN-Leistungsbauelements mit 150 Volt Durchschlagspannung aus

Kleinere und effizientere Stromversorgungseinheiten für die Bereiche Telekommunikation, Industrieautomation, Automotive und anderen Anwendungen

Fujitsu liefert erste Produktmuster des GaN-Leistungsbauelements mit 150 Volt Durchschlagspannung aus

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Easy servicing :

• Front fan can be replaced without tools • Only one screw needs to be removed to quickly open the enclosure • Hard disks and power supply unit can be replaced during operation.

Additional internal USB interface with protection against unauthorized removal, e.g. for a software dongle

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Einfache Wartung :

• Werkzeugloser Frontaustausch • Zur schnellen Öffnung des Gehäuses muss lediglich eine Schraube entfernt werden • Austausch von Festplatten und Stromversorgungseinheit im laufenden Betrieb

Zusätzliche interne USB-Schnittstelle mit Schutz vor unberechtigter Entfernung, z.B. für einen Software Dongle

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It is characterised by minimal parasitic inductance and high-frequency operations through the use of WLCSP packaging ; and a proprietary gate design that enables normally-off operations.

The new device is ideal for high-side switches and low-side switches in DC-DC converters employed in power supplies for data communications equipment, industrial products, and automobiles.

In addition, because it supports a higher switching frequency in power supply circuits, power supplies can achieve improvements in overall size and efficiency.

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Dazu kommt das proprietäre Gate-Design in selbstsperrender Bauweise.

Das neue Produkt ist bestens für High-Side- und Low-Side-Schalter in Gleichspannungswandlern zum Einsatz in Stromversorgungseinheiten für Datenkommunikationsgeräte, Industrieautomation und Kraftfahrzeugen geeignet.

Da die Bausteine in Versorgungsstromkreisen eine höhere Schaltfrequenz unterstützen, können Netzteile kleiner und effizienter gebaut werden.

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